EL2004 EL2004C
350 MHz的FET缓冲
g
5V DC电气特性
V
S
e
g
5V牛逼
民
k
T
A
k
T
最大
V
IN
e
0V ř
L
e
50X除非另有规定
EL2004
参数
描述
测试条件
民
V
OS
输出失调
电压
电压增益
R
S
s
100的kX牛逼
J
e
25 C
R
S
s
100的kX
V
IN
e
g
1V ř
L
e
1的kX
V
IN
e
g
1V
R
IN
R
OUT
V
O
I
IN
输入阻抗
产量
阻抗
输出电压
摇摆
输入电流
T
J
e
25℃ V
IN
e
g
1V
V
IN
e
g
1 V
DC
DR
L
e
50X到无穷大
V
IN
e
g
4V
T
J
e
25 C（注2 ）
T
A
e
25 C（注3 ）
T
J
e
T
A
e
T
最大
PSRR
I
S
电源
抑制比
电源电流
V
S
e
g
5V至
g
15V
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
60
17 5
20
g
2 0
EL2004C
TEST
水平
I
I
I
I
I
0 90
0 80
10
10
0 95
0 88
10
11
4
g
2 0
g
2 9
典型值
10
最大
30
35
民
典型值
10
最大
30
35
10
0 95
TEST
水平
I
III
II
II
I
单位
mV
mV
V V
V V
X
X
V
pA
nA
nA
dB
mA
TD是3 2英寸
TD是1 3英寸
A
V
0 90
0 80
10
8
0 95
0 88
10
11
4
g
2 9
10
0 95
8
I
I
10
II
III
250
25
10
I
IV
I
V
I
60
17 5
500
5
20
I
IV
III
V
20
II
注1当在升高的温度下操作EL2004的功耗必须限制在所示的值
典型性能曲线'最大功耗与温度'结到外壳热阻为31 CW
当耗散传播晶体管之间的正常交流稳定状态在特殊条件下热
集中在一个输出器件结温应使用70的热敏电阻的CW来计算
注2规格是在25℃的结温，由于高速自动检测实际值的操作要求
气温将超过T的值
J
e
25℃时电源电压
g
15V无负载的工作结温
可能升至40 ℃至60℃以上的环境温度和更多的负载条件下。因此V
OS
可能会改变一个到几个毫伏和
I
IN
在热身将显著改变，请参考我
IN
- 温度曲线的预期值
注3测在静止空气中应用电力7分钟后见输入电流的曲线图在预热过程中进一步
信息
注4带宽从上升时间的EL2004具有单个极点增益和相位响应提高到所计算出的
b
3分贝
频率
注5压摆率V之间测量
OUT
E A
2 5V和
b
2 5V该测试
注6压摆率V之间测量
OUT
E A
1V和
b
1V本次测试脉冲重复率
k
50兆赫
g
15V AC电气特性
V
S
e
g
15V ř
L
e
1的kX ř
S
e
50X吨
J
e
25℃除非另有规定
EL2004
参数
描述
测试条件
民
BW
带宽
（注4 ）
R
L
e
50X
t
s
C
in
建立时间为1 ％
输入电容
DV
IN
e
1V吨
r
e
3纳秒
200
140
典型值
350
200
6
3
最大
TEST
水平
I
I
V
V
民
200
140
EL2004C
典型值
350
200
6
3
最大
TEST
水平
I
I
V
V
单位
兆赫
兆赫
ns
pF
3
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
