优势
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半导体
创新照明
氮化铟镓白： DWW - XJD
部分订购
数
DWW-SJD-TU2-1*
• DWW - SJD -T1
• DWW - SJD -T2
• DWW - SJD -U1
• DWW - SJD -U2
DWW-UJD-UV2-1*
• DWW - UJD -U1
• DWW - UJD -U2
• DWW - UJD -V1
• DWW - UJD -V2
DWW-UJD-VW1-1
• DWW - UJD -V1
• DWW - UJD -V2
• DWW - UJD -W1
*不适用于新设计
芯片技术
/颜色
氮化铟镓
白
VIEWING
角
120
总光通量@
IF = 30mA时MLM （典型值）
1350
发光强度@
IF = 30毫安IV （ MCD ）
285.0 - 715.0
285.0 - 355.0
355.0 - 450.0
450.0 - 560.0
560.0 - 715.0
2000
450.0 - 1125.0
450.0 - 560.0
560.0 - 715.0
715.0 - 900.0
900.0 - 1125.0
3000
715.0 - 1400.0
715.0 - 900.0
900.0 - 1125.0
1125.0 - 1400.0
记
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他发光强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量为± 11 ％的精度。
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个波长组被允许为每个卷轴。
5.波长的InGaN是非常敏感的驱动电流。工作在较低电流不建议，可能产生无法预知的性能
电流脉冲应该被用于调光的目的。
6.选购的VF比南也可根据客人的要求。比南方案是按照下表。
2
20/02/2006 V1.0
DOMINANT [ DOMINANT SEMICONDUCTORS ]
