优势
TM
半导体
创新照明
的AlInGaP ： DWX - EJS
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; （ TP ≤为10μs ，占空比= 0.005 ）
反向电压
ESD阈值（ HBM）的
LED结温
工作温度
储存温度
功耗（室温）
热阻
- 结/环境，R
日JA
- 结/焊点，R
日JS
（在FR4 PCB ，焊盘尺寸安装> = 16毫米
2每片）
300
130
K / W
K / W
70
100
12
2000
125
-40 … +100
-40 … +100
200
单位
mA
mA
V
V
˚C
˚C
˚C
mW
特性（Ta = 25_C ）
符号
温度COEF网络cient
DOM （典型值）
I
F
= 50毫安; 0℃ < = T < = 100℃
TC
DOM （典型值）
产品型号
DWS- EJS
DWR - EJS
DWA- EJS
DWO - EJS
DWY - EJS
价值
0.05
0.05
0.07
0.07
0.09
-2.2
-4.8
-2.4
-1.2
-1.3
-6.0
-7.4
-11.5
-15.7
-19.0
单位
纳米/ K
V温度COEF网络cient
F（典型值）
I
F
= 50毫安; 0℃ < = T < = 100℃
TC
V
DWS- EJS
DWR - EJS
DWA- EJS
DWO - EJS
DWY - EJS
毫伏/ K
我的温度系数
V（典型值）
I
F
= 50毫安; 0℃ < = T < = 100℃
TC
IV
DWS- EJS
DWR - EJS
DWA- EJS
DWO - EJS
DWY - EJS
MCD / K
4
25/06/2007 V5.0
DOMINANT [ DOMINANT SEMICONDUCTORS ]
