优势
TM
半导体
创新照明
氮化铟镓: DSX- xSx
在Ta = 25℃电气特性
VF @如果= 20mA下
产品型号
DSB
VR @ IR = 10uA的
MAX 。 (V )
3.8
TYP 。 (V )
2.9
TYP 。 (V )
3.2
MIN 。 (V )
5.0
DST
2.9
3.4
4.0
5.0
正向电压, Vf的测量为± 0.1 V的精度
VF分档(可选)
VF斌@ 20毫安
0A
00
01
02
03
正向电压( V)
2.75 ... 3.05
3.05 ... 3.35
3.35 … 3.65
3.65 … 3.95
3.95 … 4.25
正向电压, Vf的测量为± 0.1 V的精度
详情请咨询销售和市场营销的特殊部件编号纳入Vf的分级。
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; ( TP ≤为10μs ,占空比= 0.005 )
反向电压
ESD阈值( HBM)的
LED juction温度
工作温度
储存温度
功耗(室温)
20
200
5
2
125
-40 … +100
-40 … +100
80
单位
mA
mA
V
kV
˚C
˚C
˚C
mW
4
03/04/2006 V7.0