通用晶体管
TIP32 ， TIP32A ... C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
- V
CE
= 30 V
- V
CE
= 60 V
- V
CE
=额定V
CE0
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstärkung
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
打开-O FF时间
- I
CON
= 1 A,
- I
BON
= I
B关
= 100毫安
t
on
t
关闭
–
–
f
T
3兆赫
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CES
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
300 nA的
300 nA的
300 nA的
300 nA的
200 nA的
H-参数为 - V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1千赫
h
fe
20
–
–
–
300纳秒
1 µs
–
–
–
62 K / W
1
)
3 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
TIP31 ， TIP31A
TIP31B ， TIP31C
热电阻 - Wärmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到外壳 - Sperrschicht祖Gehäuse
安装受理的扭矩
Zulässiges Anzugsdrehmoment
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementäre NPN - Transistoren
R
THA
R
THC
M4
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlußdrähte在5毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
29
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
