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TIP122 参数 Datasheet PDF下载

TIP122图片预览
型号: TIP122
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内容描述: 硅外延平面达林顿功率晶体管 [Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 110 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号TIP122的Datasheet PDF文件第1页  
TIP120 TIP122 ...
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压。 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
I
C
= 3 A,I
B
= 12毫安
I
C
= 5 A,I
B
= 20毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 3 A,V
CE
= 3 V
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
V
CE
= 30 V , (B开)
V
CE
= 40 V , (B开)
V
CE
= 50 V , (B开)
V
CB
= 60 V , (E打开)
V
CB
= 80 V, (E打开)
V
CB
= 100 V, (E打开)
V
CB
= 10 V,I
E
= i
e
= 0中,f = 100千赫
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到外壳
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
安装受理的扭矩
Zulässiges Anzugsdrehmoment
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
等效电路 - Ersatzschaltbild
T
1
T
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
< 63 K / W
1
)
< 3 K / W
9 ±10% lb.in.
1 ±10%牛
TIP125 TIP127 ...
C2
马克斯。
2V
4V
2.5 V
500 nA的
500 nA的
500 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
200 pF的
V
CESAT
V
CESAT
V
BE
TIP120
TIP121
TIP122
TIP120
TIP121
TIP122
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
CBO
I
CBO
I
CBO
C
CB0
R
THA
R
THC
M4
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
E
B
C
B1
T1
T2
E2
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhältnis
2%
有效的,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrähte在2毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2