开关晶体管
特性（T
j
= 25°C)
MMBT2222 ， MMBT2222A
Kennwerte （T
j
= 25°C)
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
4 pF的
20 pF的
马克斯。
1.3 V
1.2 V
2.6 V
2V
–
–
–
300
–
–
300
375
8 k
Ω
1.25 k
Ω
35 µS
200 µS
–
8 pF的
25 pF的
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
f
T
C
CB0
C
EB0
–
600毫伏
–
–
35
50
75
100
50
40
50
75
2 k
Ω
0.25 k
Ω
5 µS
25 µS
250兆赫
–
–
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
1
)
V
CE
= 10 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstärkung
输入阻抗
Eingangs - Impedanz
输出导纳
Ausgangs - Leitwert
H-参数在V
CE
= 10V ， F = 1 kHz时，我
C
= 1毫安/ 10毫安
2
)
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 10 V，I
C
= 100 µA,
R
S
= 1 k
Ω
中，f = 1千赫
切换时间 - Schaltzeiten
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 30 V, - V
BE
= 0.5 V
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安
I
B1
= - I
B2
= 15毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
–
–
–
–
R
THA
–
–
–
–
10纳秒
25纳秒
225纳秒
60纳秒
420 K / W
3
)
MMBT2907 ， MMBT2907A
MMBT2222 = （M）， 1B
MMBT2222A 1P =
MMBT2222A
F
–
–
4分贝
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
）测试与脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
） MMBT2222 ：我
C
= 1毫安， MMBT2222A ：我
C
= 10毫安
3
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
1
2
21
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
