BCP51 ... BCP53
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 30 V ， （E打开）
- V
CB
= 30 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
互补对的直流电流增益比
Verhältnis德Stromverstärkungen komplementärer Paare
L I
C
升= 150毫安， L V
CE
升= 2 V
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到焊接点
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementäre NPN - Transistoren
h
FE1
/h
FE2
R
THA
R
THS
–
–
< 93 K / W
1
)
< 27 K / W
BCP54 ... BCP56
1.6
f
T
–
120兆赫
–
- I
EB0
–
–
100 nA的
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
100 nA的
10 µA
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯ð 。 Umgebungstemp 。
1
)
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
