通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
)
F = 200赫兹
V
CE
= 5 V，I
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
， F = 1 kHz时，
F = 30 ... 15000赫兹
公元前846 ...
F
公元前848
BC 850分之849
公元前849
公元前850
F
F
F
–
–
R
THA
–
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
I
EB0
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
V
BEON
V
BEON
580毫伏
–
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
–
–
–
–
公元前846 ...公元前850
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
90毫伏
200毫伏
700毫伏
900毫伏
660毫伏
–
马克斯。
250毫伏
600毫伏
–
–
700毫伏
770毫伏
15 nA的
5
:
A
100 nA的
–
3.5 pF的
9 pF的
6 pF的
–
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
2分贝
1.2分贝
1.4分贝
1.4分贝
10分贝
4分贝
4分贝
3分贝
420 K / W
2
)
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
BC 846A = 1A
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstärkungsgruppen亲典型值
BC 847A = 1E
BC 848A = 1J
公元前856 ...公元前860
BC 846B = 1B
BC 847B = 1F
BC 848B = 1K
BC 849B = 2B
BC 850B = 2F
BC 847C = 1G
BC 848C = 1L
BC 849C = 2C
公元前850 = 2G
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhältnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
11
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
