通用晶体管
特性，T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspg 。
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
V
CE
= 1 V ， - 我
C
= 500毫安
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 50 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstärkungsgruppen亲典型值
f
T
C
CB0
–
–
R
THA
I
EB0
–
V
BE
I
CB0
I
CB0
–
–
–
V
CESAT
V
BESAT
–
–
公元前817 / BC 818
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
典型值。
–
–
–
–
–
–
100兆赫
12 pF的
马克斯。
0.7 V
1.3 V
1.2 V
100 nA的
5
:
A
100 nA的
–
–
320 K / W
1
)
公元前807 / BC 808
公元前817-40 = 6C
公元前818-40 = 6G
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
公元前817-16 = 6A公元前817-25 = 6B
公元前817 = 6D
公元前818-16 = 6E
公元前818 = 6H
公元前818-25 = 6F
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
01.11.2003
7
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
