通用晶体管
特性，T
j
= 25
/
C
分钟。
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspg 。
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
V
CE
= 1 V ， - 我
C
= 500毫安
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 50 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
可用的电流增益标记
每类群体
Stempelung德lieferbaren Strom-
verstärkungsgruppen亲典型值
BC 817-16W = 6A
BC 817W = 6D
BC 818-16W = 6E
BC 818W = 6H
BC 818-25W = 6F
BC 817W / 818W BC
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
典型值。
–
–
–
–
–
–
170兆赫
6 pF的
马克斯。
0.7 V
1.2 V
1.2 V
100 nA的
5
:
A
100 nA的
–
–
620 K / W
1
)
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
I
CB0
I
CB0
I
EB0
f
T
C
CB0
–
–
–
–
–
–
100兆赫
–
R
THA
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
BC 807W / 808W BC
BC 817-25W = 6B
BC 817-40W = 6C
BC 818-40W = 6G
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
9
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
