2N4401
2N4401
NPN
版本2006-09-12
功耗
Verlustleistung
CBE
通用硅外延平面晶体管
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
NPN
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
18
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
T
j
T
S
9
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
2N4401
40 V
60 V
6V
250毫瓦
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1毫安，
1毫安，
10毫安，
150毫安，
500毫安，
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1
1
1
1
2
V
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
20
40
80
100
40
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
300
–
0.40 V
0.75 V
0.95 V
1.2 V
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压 - 基射极Sättigungsspannung
2
)
0.75 V
–
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
