2N3906
2N3906
PNP
版本2006-09-12
功耗
Verlustleistung
CBE
硅外延平面晶体管开关
硅外延平面Schalttransistoren
PNP
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
18
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
T
j
T
S
9
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
2N3906
40 V
40 V
5V
625毫瓦
1
)
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
-
-
-
-
-
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1毫安，
1毫安，
10毫安，
50毫安，
百毫安，
-
-
-
-
-
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1
1
1
1
1
V
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
60
80
100
60
30
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
300
–
–
0.25 V
0.40 V
0.85 V
0.95 V
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 1毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极饱和电压 - 基射极Sättigungsspannung
2
)
0.65 V
–
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
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1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
