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TIP127 参数 Datasheet PDF下载

TIP127图片预览
型号: TIP127
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内容描述: 硅外延平面达林顿功率晶体管 [Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 110 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号TIP127的Datasheet PDF文件第2页  
TIP125 ... TIP127
TIP125 ... TIP127
PNP
Version 2006-10-17
10
±0.2
3
4
3.8
Type
Typ
Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors
Si-Epitaxial Planar Darlington-Leistungs-Transistoren
Max. power dissipation with cooling
Max. Verlustleistung mit Kühlung
Collector current
Kollektorstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
PNP
65 W
5A
TO-220AB
2.2 g
15.7
1 2 3
13.2
1.5
0.9
2.54
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2/4 = C
3=E
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spg.
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spg.
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
P
tot
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
B
T
j
T
S
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
60 V
60 V
3.4
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP125
TIP126
80 V
80 V
5V
2 W
1
)
65 W
5A
8A
120 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
TIP127
100 V
100 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- I
C
= 0.5 A, - V
CE
= 3 V
- I
C
= 3 A, - V
CE
= 3 V
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
- I
C
= 3 A, - V
CE
= 4 V, f = 1 MHz
h
fe
4
h
FE
h
FE
1000
1000
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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