P6 KE 6.8 ... P6 KE 440CA, P6 KE 520C
Unidirectional and bidirectional
Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale
Spannungs-Begrenzer-Dioden
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
600 W
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruch-Spannung
6.8...520 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
DO-15 (DO-204AC)
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
siehe Seite 16
Dimensions / Maße in mm
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (Suffix “C” oder “CA”) gelten die el. Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics
Kenn- und Grenzwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
TA = 25ꢀC
PPPM
PM(AV)
IFSM
Tj
600 W 1)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
5 W 2)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
100 A 3)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
– 50…+175ꢀC
TS – 50…+175ꢀC
Max. instantaneous forward voltage
IF = 50 A
VBR ꢀ 200 V
VF
VF
< 3.5 V 3)
< 5.0 V 3)
Augenblickswert der Durchlaßspannung
VBR > 200 V
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 30 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead
RthL
< 15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
2
3
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
1
25.03.2003
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
