MMBT5550 / MMBT5551
MMBT5550 / MMBT5551
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2006-05-09
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
1.9
2
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
T
j
T
S
2.5 max
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT5550
140 V
160 V
6V
250 mW
1
)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBT5551
160 V
180 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
I
C
= 1 mA, V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA, V
CE
= 5 V
I
C
= 50 mA, V
CE
= 5 V
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
CEsat
V
CEsat
V
CEsat
60
80
60
80
20
30
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Max.
–
–
250
250
–
–
0.15 V
0.15 V
0.25 V
0.20 V
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
