MMBT4403
MMBT4403
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2006-05-09
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
1.9
2
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EB0
P
tot
- I
C
T
j
T
S
2.5 max
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT4403
40 V
40 V
5V
250 mW
1
)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
-
-
-
-
-
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1 mA,
1 mA,
10 mA,
150 mA,
500 mA,
-
-
-
-
-
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1V
1V
1V
2V
2V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
- V
CEsat
- V
CEsat
30
60
100
100
20
60
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Max.
–
–
–
300
–
500
15 kΩ
30 µS
8*10
-4
0.40 V
0.75 V
h-Parameters at/bei - V
CE
= 10 V, - I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
- I
C
= 150 mA, - I
B
= 15 mA
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
1.5 kΩ
1 µS
0.1*10
-4
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
