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MMBT3906 参数 Datasheet PDF下载

MMBT3906图片预览
型号: MMBT3906
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内容描述: 表面贴装硅外延平面开关晶体管 [Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors]
分类和应用: 晶体开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 102 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBT3906的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT3906
MMBT3906
PNP
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2009-04-02
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
1.9
2
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
tot
- I
C
T
j
T
S
2.5 max
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT3906
40 V
40 V
5V
250 mW
)
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
)
-
-
-
-
-
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1 mA, -
1 mA, -
10 mA, -
50 mA, -
100 mA, -
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1
1
1
1
1
V
V
V
V
V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
40
80
100
60
30
100
2 kΩ
3 µS
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Max.
300
400
12 kΩ
60 µS
10*10
-4
h-Parameters at/bei - V
CE
= 10 V, - I
C
= 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
0.1*10
-4
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1