BC 846 ... BC 850
NPN
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
Type
Code
1
2
2.5
max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
BC 846
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
6V
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 847/850
45 V
50 V
250 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 848/849
30 V
30 V
5V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Group A
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
V
CE
= 5 V, I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
h-Parameters at V
CE
= 5V, I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
1
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Group B
typ. 150
200...450
Group C
typ. 270
420...800
h
FE
h
FE
typ. 90
110...220
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
typ. 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 *10
-4
typ. 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
typ. 2 *10
-4
typ. 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
typ. 3 *10
-4
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
10
01.11.2003
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
