BAS216WT
BAS216WT
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-11-30
Power dissipation – Verlustleistung
150 mW
85 V
SOD-523
0.01 g
1.2
0.7
0.12
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.6
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
P
tot
I
FAV
I
FSM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
0.35
0.8
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAS216WT
150 mW
)
150 mA
1
)
0.5 A
2A
85 V
-55...+150°C
-55…+150°C
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
)
Durchlass-Spannung
2
)
I
F
I
F
I
F
I
F
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 150°C
=
=
=
=
1 mA
10 mA
50 mA
150 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
< 1 µA
< 30 µA
< 50 µA
1.5 pF
< 4 ns
< 620 K/W
1
)
Leakage current
Sperrstrom
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
