1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518
1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13,
EM513, EM516, EM518
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-10-16
Nominal current
Nennstrom
Ø 2.6
-0.1
1A
50...2000 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
-2.5
+0.5
Type
Ø 0.77
±0.07
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
1N4007-13
EM513
EM516
EM518
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1300
1600
1800
2000
5.1
-0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1300
1600
1800
2000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
T
A
= 75°C
T
A
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
1 A
)
0.8 A
1
)
10 A
1
)
50/55 A
12.5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
