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    MMBT4401T_2 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT4401T_2图片预览
    型号： MMBT4401T_2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN小信号表面贴装晶体管 [NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 177 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号MMBT4401T_2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT4401T_2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT4401T_2的Datasheet PDF文件第4页  
    电气特性
    特征
    开关特性（注5 ）
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    基地截止电流
    基本特征（注5 ）
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX
    I
    BL
    民
    60
    40
    6.0
    ⎯
    ⎯
    20
    40
    80
    100
    40
    ⎯
    0.75
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    1.0
    0.1
    40
    1.0
    250
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    最大
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    100
    100
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    300
    ⎯
    0.40
    0.75
    0.95
    1.2
    6.5
    30
    15
    8.0
    500
    30
    ⎯
    15
    20
    225
    30
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1.0毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 35V, V
    EB （O FF ）
    = 0.4V
    V
    CE
    = 35V, V
    EB （O FF ）
    = 0.4V
    I
    C
    = 100μA ，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 1.0毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    = 2.0V
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CB
    = 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
    C
    = 0
    -4
    直流电流增益
    h
    FE
    ⎯
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    小信号特性
    输出电容
    输入电容
    输入阻抗
    电压反馈比例
    小信号电流增益
    输出导纳
    电流增益带宽积
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    注意事项：
    5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    V
    C
    敖包
    C
    IBO
    h
    ie
    h
    re
    h
    fe
    h
    oe
    f
    T
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    pF
    pF
    kΩ
    x 10
    ⎯
    μS
    兆赫
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 1.0毫安，
    F = 1.0kHz
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 20mA时，
    F = 100MHz的
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 150毫安，
    V
    BE （OFF）的
    = 2.0V ，我
    B1
    = 15毫安
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 150毫安，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15毫安
    ns
    ns
    ns
    ns
    250
    1,000
    P
    d
    ，功耗（毫瓦）
    h
    FE
    ，直流电流增益
    200
    T
    A
    = 125°C
    150
    100
    T
    A
    = -25°C
    T
    A
    = 25°C
    100
    10
    50
    V
    CE
    = 1.0V
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    T
    A
    ，环境温度（ ° C）
    图。 1功率降额曲线
    200
    1
    0.1
    1
    10
    100
    I
    C
    ，集电极电流（毫安）
    图。 2典型的DC电流增益与
    集电极电流
    1,000
    DS30272牧师8 - 2
    2 4
    www.diodes.com
    MMBT4401T
    © Diodes公司

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