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    MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT3904图片预览
    型号： MMBT3904
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN小信号表面贴装晶体管 [NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 83 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT3904的Datasheet PDF文件第4页  
    MMBT3904
    电气特性
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CEX
    I
    BL
    民
    60
    40
    6.0
    ⎯
    ⎯
    40
    70
    100
    60
    30
    ⎯
    0.65
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    1.0
    0.5
    100
    1.0
    300
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    最大
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    50
    50
    ⎯
    ⎯
    300
    ⎯
    ⎯
    0.20
    0.30
    0.85
    0.95
    4.0
    8.0
    10
    8.0
    400
    40
    ⎯
    5.0
    35
    35
    200
    50
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1.0毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 30V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0V
    V
    CE
    = 30V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0V
    I
    C
    = 100μA ，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 1.0毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1.0毫安
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 1.0毫安
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    = 5.0毫安
    V
    CB
    = 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 1.0毫安，
    F = 1.0kHz
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 10毫安，
    F = 100MHz的
    V
    CE
    = 5.0V ，我
    C
    = 100μA,
    R
    S
    = 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
    V
    CC
    = 3.0V ，我
    C
    = 10毫安，
    V
    BE （OFF）的
    = - 0.5V ，我
    B1
    = 1.0毫安
    V
    CC
    = 3.0V ，我
    C
    = 10毫安，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 1.0毫安
    特征
    开关特性
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    基地截止电流
    基本特征
    （注4 ）
    直流电流增益
    h
    FE
    ⎯
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    小信号特性
    输出电容
    输入电容
    输入阻抗
    电压反馈比例
    小信号电流增益
    输出导纳
    电流增益带宽积
    噪声系数
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    注意事项：
    4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    C
    敖包
    C
    IBO
    h
    ie
    h
    re
    h
    fe
    h
    oe
    f
    T
    NF
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    V
    V
    pF
    pF
    kΩ
    -4
    x 10
    ⎯
    μS
    兆赫
    dB
    ns
    ns
    ns
    ns
    400
    350
    P
    D
    ，功耗（毫瓦）
    300
    250
    200
    150
    100
    50
    0
    R
    θJA
    = 417
    °
    C / W
    1
    I
    C
    ，集电极电流（ A）
    0.1
    DC
    PW = 100毫秒
    PW = 10毫秒
    0.01
    25
    50
    75 100 125 150 175 200
    T
    A
    ，环境温度（ ° C）
    图。 1功耗与环境温度（注1 ）
    0
    0.001
    T
    A
    = 25°C
    单一非重复脉冲
    DUT安装在1xMRP
    FR-4板
    0.1
    1
    10
    100
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（ V）
    图。 2典型的集电极电流
    与集电极 - 发射极电压
    MMBT3904
    文件编号： DS30036牧师18 - 2
    2 4
    www.diodes.com
    2008年12月
    © Diodes公司

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