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    MMBT2222A_1 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222A_1图片预览
    型号： MMBT2222A_1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN小信号表面贴装晶体管 [NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 199 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号MMBT2222A_1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A_1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222A_1的Datasheet PDF文件第4页  
    电气特性
    开关特性
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    基地截止电流
    基本特征
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    EBO
    I
    BL
    民
    75
    40
    6.0
    35
    50
    75
    100
    40
    50
    35
    0.6
    —
    300
    最大
    10
    10
    10
    20
    300
    0.3
    1.0
    1.2
    2.0
    8
    25
    4.0
    单位
    V
    V
    V
    nA
    µA
    nA
    nA
    nA
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    = 0, T
    A
    = 150°C
    V
    CE
    = 60V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0V
    V
    EB
    = 3.0V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 60V, V
    EB （O FF ）
    = 3.0V
    I
    C
    = 100μA ，V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 1.0毫安，V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 10V ，T
    A
    = -55°C
    I
    C
    = 150毫安，V
    CE
    = 1.0V
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CB
    = 10V ， F = 1.0MHz的，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 20mA时，
    F = 100MHz的
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 100µA,
    R
    S
    = 1.0kΩ ， F = 1.0kHz
    特性（注3）
    直流电流增益
    h
    FE
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    小信号特性
    输出电容
    输入电容
    电流增益带宽积
    噪声系数
    开关特性
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    注意：
    3.
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    V
    C
    敖包
    C
    IBO
    f
    T
    NF
    pF
    pF
    兆赫
    dB
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    10
    25
    225
    60
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 150毫安，
    V
    BE （OFF）的
    = - 0.5V ，我
    B1
    = 15毫安
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    = 150毫安，
    I
    B1
    = I
    B2
    = 15毫安
    短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
    DS30041牧师11 - 2
    2 4
    www.diodes.com
    MMBT2222A

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