AN75
在功率MOSFET此转换器的最大漏源电压应力等于输入
电压。然而，典型的电压的安全裕度为MOSFET定义最大反向
电压如下，
V
DSS
=
1.3
×
V
IN （MAX）
=
1.3
×
373 V
=
485 V
这意味着一个普通500V MOSFET是合适的。
功率MOSFET的损耗由开关损耗为主。开关损耗取决于
开关时间，频率， MOSFET的漏极电流和漏源电压。该开关的上升时间
t
上升
和下降时间t
秋天
是MOSFET的栅极电容的函数，的栅极驱动器的能力
AL9910和布局的设计。最坏的情况下开关功率损耗发生在V
LED （ MIN ）
和V
IN （MAX）
.
开关损耗是约，
V
t
⎛
⎞
V
IN （MAX）
× ⎜
I
pk
−
LED （分） OFF
⎟ ×
t
上升
×
f
SWI （最大值）
⎜
⎟
V
IN （MAX）
×
I
pk
×
t
秋天
×
f
SWI （最大值）
L
巴克
⎝
⎠
=
+
2
2
373V
×
(
297mA
−
88mA
)
×
65ns
×
63.8kHz 373V
×
65ns
×
63.8kHz
=
+
2
2
=
455mW
P
SW
其中，开关时间t
上升
和T
秋天
被测定为65ns与600V的MOSFET
SPB03N60S5的功率MOSFET 。如图1 ， R10为串联栅极电阻，减慢
断MOSFET开关，降低了EMI辐射。
RMS电流流经MOSFET在V
LED （ MIN ）
和V
IN （MAX）
由下式给出，
I
D（ RMS）
=
=
V
LED （ MIN ）
V
IN （MAX）
V
LED （ MIN ）
×
t
关闭
L
巴克
⎛
× ⎜
I
LED （ NOM ）
+
⎜
12
⎝
⎞
⎟
⎟
⎠
42V
⎛
42V
×
13.9
μ
s 6.6mH
⎞
⎟
× ⎜
240mA
+
⎟
373 V
⎜
12
⎝
⎠
=
89mA
功率MOSFET的传导损耗取决于它的静态漏源电阻R
DS （ ON）
在
MOSFET的工作温度。它可以计算出连续导通损失：
2
P
COND
=
I
D（ RMS）
×
R
DS （ ON）
=
(
89mA
)
×
2.5
Ω =
19mW
2
总功率MOSFET损耗是：
P
合计
=
P
SW
+
P
COND
=
455mW
+
19mW
=
474mW
总的MOSFET功率损耗从SMD封装到PCB板散热。这样就有可能
计算出MOSFET的工作结温可如果封装结点至计算
环境热阻R
thJA
是已知的。所计算出的MOSFET结温度T
J
，必须是
较低的则最大允许结温度T
J（下最大）
:
T
J
=
P
合计
×
θ
thJA
+
T
AMB
=
474mW
×
62
o
C宽
+
80
o
C
=
109.4
o
C
LED的转换器，T内的内部环境温度
AMB
被假定为80℃ 。
θ
thJA
=
62
o
C宽
对于TO- 263热电阻铜面积最小。对于实际设计，它是
建议保持低于110℃的结温，以避免对温度应力
装置。
第1期 - 2011年1月
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