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    BSS8402DW 参数 Datasheet PDF下载

    BSS8402DW图片预览
    型号： BSS8402DW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补对增强型场效应晶体管 [COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 174 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号BSS8402DW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS8402DW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS8402DW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSS8402DW的Datasheet PDF文件第5页  
    BSS8402DW
    电气特性N沟道 - Q
    1
    ， 2N7002节
    特征
    开关特性（注5 ）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    @ T
    C
    = 25°C
    @ T
    C
    = 125°C
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    @ T
    j
    = 25°C
    @ T
    j
    = 125°C
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    民
    60
    ⎯
    ⎯
    1.0
    ⎯
    0.5
    80
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    典型值
    70
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    3.2
    4.4
    1.0
    ⎯
    22
    11
    2.0
    7.0
    11
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    单位
    V
    µA
    nA
    V
    Ω
    A
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 10μA
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = ±20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250μA
    V
    GS
    = 5.0V ，我
    D
    = 0.05A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5A
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 7.5V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 0.2A
    最大
    ⎯
    1.0
    500
    ±10
    2.5
    7.5
    13.5
    ⎯
    ⎯
    50
    25
    5.0
    20
    20
    新产品
    门体漏
    基本特征（注5 ）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    V
    DS
    = 25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0MHz的
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.2A,
    R
    L
    = 150Ω, V
    根
    = 10V ，R
    根
    = 25Ω
    电气特性P- CHANNEL - Q
    2
    ， BSS84节
    特征
    开关特性（注5 ）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    基本特征（注5 ）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    注意事项：
    5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    nA
    V
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250µA
    V
    DS
    = -50V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 25°C
    V
    DS
    = -50V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 125°C
    V
    DS
    = -25V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 25°C
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -1mA
    V
    GS
    = -5V ，我
    D
    = -0.100A
    V
    DS
    = -25V ，我
    D
    = -0.1A
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    民
    -50
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    -0.8
    ⎯
    .05
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    典型值
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    10
    18
    最大
    ⎯
    -15
    -60
    -100
    ±10
    -2.0
    10
    ⎯
    45
    25
    12
    ⎯
    ⎯
    V
    DS
    = -25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1.0MHz的
    V
    DD
    = -30V ，我
    D
    = -0.27A,
    R
    根
    = 50Ω, V
    GS
    = -10V
    BSS8402DW
    文件编号： DS30380牧师12 - 2
    2 5
    www.diodes.com
    2008年6月
    © Diodes公司

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