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BSS84_10 参数 Datasheet PDF下载

BSS84_10图片预览
型号: BSS84_10
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 106 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS84
P沟道增强型场效应晶体管
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅,卤素和无锑,符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: SOT -23
表壳材质:采用UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成) 。
终端连接:见图
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
SOT-23
D
来源
G
S
顶视图
等效电路
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-50
-50
±20
-130
-1.2
单位
V
V
V
mA
A
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压ř
GS
20KΩ
栅源电压
漏电流(注1 )
漏电流脉冲
连续
连续
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性(注2 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征(注2 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
D(关闭)
-50
-0.8
0.05
典型值
10
18
最大
-15
-60
-100
±10
-2.0
10
45
25
12
单位
V
µA
µA
nA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ,T
J
= 25°C
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ,T
J
= 25°C
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1mA
V
GS
= -5V ,我
D
= -0.100A
V
DS
= -25V ,我
D
= -0.1A
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
V
DD
= -30V ,我
D
= -0.27A,
R
= 50Ω, V
GS
= -10V
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议​​焊盘布局文件AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造( 33周, 2008年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料,可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
BSS84
文件编号: DS30149牧师14 - 2
1 4
2010年2月
© Diodes公司