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BSS138DW_09 参数 Datasheet PDF下载

BSS138DW_09图片预览
型号: BSS138DW_09
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 109 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BSS138DW
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻(
Ω
)
6
V
GS
= 4.5V
3.5
V
GS
= 10V
150
°
C
150
°
C
5
3
2.5
2
25
°
C
4
3
25
°
C
1.5
1
-55
°
C
2
1
-55
°
C
0.5
0
0
0
0
0.5
I
D
,漏电流(A)
图。 7漏源导通电阻与漏电流
0.5
I
D
,漏电流(A)
图。 8漏源导通电阻与漏电流
1
100
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
I
D
二极管电流(A)
0.1
150
°
C
-55
°
C
C,电容(pF )
C
国际空间站
10
C
OSS
0.01
25
°
C
C
RSS
0.001
1
0
0.2
0.6
1
1.2
0.4
0.8
V
SD
,二极管的正向电压( V)
图。 9体二极管电流与体二极管电压
0
5
15
20
25
10
30
V
DS
,漏源电压(V )
图。 10电容与漏源电压
订购信息
产品型号
BSS138DW-7-F
注意事项:
(注7 )
SOT-363
包装
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
MAR
3
2001
M
YM
K38
2002
N
APR
4
P
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年(例如: N = 2002)
M =月(例如: 9 =九月)
2003
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
五月
5
BSS138DW
文件编号: DS30203牧师12 - 2
3 5
2009年9月
© Diodes公司