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    BSS138_1 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138_1图片预览
    型号： BSS138_1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 478 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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    2.45
    2.25
    2.05
    1.85
    1.65
    1.45
    1.25
    1.05
    0.85
    0.65
    -55
    -5
    45
    95
    145
    V
    GS
    = 4.5V
    I
    D
    = 0.075A
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 0.5A
    T
    j
    ，结温（ ° C）
    图。 3漏源导通电阻与结温
    2
    V
    GS （ TH）
    ，栅极阈值电压（ V）
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    -55 -40 -25 -10
    5
    20 35 50 65 80 95 110 125 140
    I
    D
    = 1.0毫安
    T
    j
    ，结温（ ° C）
    图。 4栅极阈值电压与结温
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极导通电阻（ W）
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    -55°C
    25°C
    V
    GS
    = 2.5V
    150°C
    2
    1
    0
    0
    0.02
    0.04
    0.06
    0.08 0.1
    0.12
    0.14
    0.16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图。 5漏源导通电阻与漏极电流
    DS30144牧师11 - 2
    3 5
    www.diodes.com
    BSS138

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