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    BSS138DW 参数 Datasheet PDF下载

    BSS138DW图片预览
    型号： BSS138DW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 61 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
       
    BSS138DW
    双N沟道增强
    型场效应晶体管
    特点
    ·
    ·
    ·
    ·
    低导通电阻
    低栅极阈值电压
    低输入电容
    开关速度快
    SOT-363
    A
    D
    2
    G
    1
    S
    1
    暗淡
    A
    B
    B C
    民
    0.10
    1.15
    2.00
    0.30
    1.80
    ¾
    0.90
    0.25
    0.10
    最大
    0.30
    1.35
    2.20
    0.40
    2.20
    0.10
    1.00
    0.40
    0.25
    ·
    ·
    ·
    ·
    ·
    ·
    案例： SOT- 363 ，模压塑料
    码头：每MIL -STD- 202焊接的，
    方法208
    终端连接：见图
    标记： KXX ：产品标识代码
    YY ：日期代码
    标识代码： K38
    重0.006克数（大约）
    K
    J
    最大额定值
    漏源电压
    漏极 - 栅极电压（注3）
    栅源电压
    漏电流（注1 ）
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    DSS
    V
    DGR
    连续
    连续
    V
    GSS
    I
    D
    P
    d
    R
    qJA
    T
    j
    , T
    英镑
    BSS138DW
    50
    50
    ±20
    200
    200
    625
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ° C / W
    °C
    特征
    总功率耗散（注1 ）
    热阻，结到环境
    工作和存储温度范围
    电气特性
    特征
    开关特性（注2 ）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    基本特征（注2 ）
    栅极阈值电压
    静态漏源导通电阻
    正向跨导
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开关特性
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    @ T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    D（关闭）
    民
    50
    ¾
    ¾
    0.5
    ¾
    100
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    典型值
    75
    ¾
    ¾
    1.2
    1.4
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    ¾
    最大
    ¾
    0.5
    ±100
    1.5
    3.5
    ¾
    50
    25
    8.0
    20
    20
    单位
    V
    µA
    nA
    V
    W
    mS
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250毫安
    V
    DS
    = 50V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =-250mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.22A
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 0.2A ， F = 1.0KHz
    注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。
    2.脉冲宽度
    £
    300毫秒，占空比
    £
    2%.
    3. R
    GS
    £
    20KW.
    DS30203修订版B- 2
    1 1
    KXX YY
    S
    2
    G
    2
    D
    1
    机械数据
    KXX YY
    C
    D
    F
    H
    J
    M
    0.65标称
    H
    K
    L
    M
    D
    F
    L
    尺寸：mm
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MHz的
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.2A,
    R
    根
    = 50W
    BSS138DW

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