BSS138DW_1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS138DW_1
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内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 98 K
品牌：	DIODES [ DIODES INCORPORATED ]

订购信息

（注5 ）

设备

BSS138DW-7

注意事项：

包装

SOT-363

航运

3000 /磁带&卷轴

用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

对于无铅/ RoHS兼容的版本型号，请加" - F"后缀以上的部分号码。例如： BSS138DW - 7-F 。

标识信息

K38

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

1998

JAN

1999

FEB

2000

三月

0.6

K38

2001

APR

2002

五月

= 25

K38 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

2003

JUN

2004

JUL

2005

八月

2006

SEP

2007

十月

2008

NOV

2009

DEC

= 3.5V

，漏源电流（A ）

0.5

= 3.25V

0.4

= 3.0V

0.3

= 2.75V

0.2

= 2.5V

0.1

，漏源电压（V ）

图。 1漏源电流和漏源电压

0.8

，漏源电流（A ）

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.5

1.5

= 1V

-55

150

2.5

3.5

4.5

，栅源电压（V ）

图。 2传输特性

DS30203牧师8 - 2

2 5

www.diodes.com

BSS138DW

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