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BC857B-13-F 参数 Datasheet PDF下载

BC857B-13-F图片预览
型号: BC857B-13-F
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内容描述: PNP表面贴装小信号晶体管SOT23 [PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 194 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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BC856A-BC858C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
(注10 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
BC856
集电极发射极Cuto FF电流
BC857
BC858
BC856A / BC857A / BC858A
小信号电流增益
BC856B / BC857B / BC858B
(注10 )
BC857C / BC858C
BC856A / BC857A / BC858A
输入阻抗(注10 )
BC856B / BC857B / BC858B
BC857C / BC858C
BC856A / BC857A / BC858A
输出导纳
BC856B / BC857B / BC858B
(注10 )
BC857C / BC858C
BC856A / BC857A / BC858A
反向电压传输
BC856B / BC857B / BC858B
比(注10 )
BC857C / BC858C
BC856A / BC857A / BC858A
直流电流增益(注10 )
BC856B / BC857B / BC858B
BC857C / BC858C
集电极 - 发射极饱和电压(注10 )
基射极导通电压(注10 )
基射极饱和电压(注10 )
输出电容
跃迁频率
噪声系数
注意事项:
符号
BC856
BC857
BC858
BC856
BC857
BC858
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
-80
-50
-30
-65
-45
-30
-5
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
C
= -10µA
200
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
-4
1.5x10
-4
2x10
-4
3x10
180
290
520
-75
-250
-650
-700
-850
3
200
2
-15
-4
-15
-15
-15
V
V
µA
nA
I
C
= -10mA
I
E
= -1µA
V
CB
= -30V
V
CB
= -30V ,T
A
= +150°C
V
CE
= -80V
V
CE
= -50V
V
CE
= -30V
h
fe
h
ie
kΩ
I
C
= -2.0mA ,V
CE
= -5V
F = 1.0kHz
h
oe
µS
h
re
125
220
420
-600
100
250
475
800
-300
-650
-750
-820
10
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
V
BE ( SAT )
C
敖包
f
T
NF
mV
mV
mV
pF
兆赫
dB
I
C
= -2.0mA ,V
CE
= -5V
I
C
= - 10毫安,我
B
= -0.5mA
I
C
= - 100mA时我
B
= -5.0mA
I
C
= -2mA ,V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5V
I
C
= -10mA ,我
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -5mA
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA ,
F = 100MHz的
V
CE
= -5V ,我
C
= -200µA
R
S
= 2kΩ的, F = 1kHz时
∆f
= 200Hz的
脉冲条件下测得10分。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%
BC856A - BC858C
文件编号: DS112072启22 - 2
4 7
2013年2月
© Diodes公司