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BC847C-7 参数 Datasheet PDF下载

BC847C-7图片预览
型号: BC847C-7
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内容描述: NPN表面贴装小信号晶体管 [NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 61 K
品牌: DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
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电气特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BC846
BC847 V
( BR ) CBO
BC848
80
50
30
65
45
30
6
5
110
200
420
580
100
典型值
220
330
600
2.7
4.5
8.7
18
30
60
1.5x10
-4
2x10
-4
3x10
-4
180
290
520
90
200
700
900
660
300
3.0
2
最大
220
450
800
250
600
700
770
15
15
15
15
5.0
10
单位
V
测试条件
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压(注3 )
集电极 - 发射极击穿电压(注3 ) BC846
BC847 V
( BR ) CEO
BC848
发射极 - 基极击穿电压
(注3)
H-参数
小信号电流增益
BC846 , BC847 V
BC848
( BR ) EBO
h
fe
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
h
oe
h
re
h
re
h
re
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
BC846
BC847
BC848
I
CES
I
CES
I
CES
I
CBO
I
CBO
f
T
C
CBO
NF
V
V
kW
kW
kW
µS
µS
µS
mV
mV
mV
nA
nA
nA
nA
µA
兆赫
pF
dB
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
电流增益A组
B
C
输入阻抗
电流增益A组
B
C
输出导纳
电流增益A组
B
C
反向电压传输比
A
电流增益组
B
C
直流电流增益
电流增益A组
B
(注3 )C
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 2.0毫安
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 80V
V
CE
= 50V
V
CE
= 30V
V
CB
= 40V
V
CB
= 30V ,T
A
= 150°C
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 200µA,
R
S
= 2.0KW ,
F = 1.0kHz ,
Df
= 200Hz的
集电极 - 发射极饱和电压(注3 )
基射极饱和电压(注3 )
基射极电压(注3 )
集电极截止电流(注3 )
增益带宽积
集电极 - 基极电容
噪声系数
注意事项:
3.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
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BC846A-BC848C