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    BC847CW 参数 Datasheet PDF下载

    BC847CW图片预览
    型号： BC847CW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管NPN硅 [General Purpose Transistor NPN Silicon]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 117 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号BC847CW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC847CW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847CW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847CW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC847CW的Datasheet PDF文件第6页  
    电气特性曲线（ BAC847CW ， BC848CW ， BC849CW ， BC850CW ）
    100
    V
    CB
    =30V
    1200
    V
    CE
    =5V
    I
    CB0
    ，集电极电流（ NA）
    1000
    T
    J
    =150˚ C
    10
    hF
    E
    800
    T
    J
    =100˚ C
    600
    T
    J
    =25 C
    1
    400
    200
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    结温，T
    J
    (
    O
    C)
    0
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流IC ， （毫安）
    图。 1.典型的我
    CB0
    - 结温
    1200
    1000
    图。 2.典型ħ
    FE
    与集电极电流
    1000
    800
    T
    J
    = 100 ˚C
    T
    J
    = 25 ˚C
    V
    CE （ SAT ）
    （毫伏）
    ,
    T
    J
    = 150 ˚C
    V
    BE（上）
    （毫伏）
    ,
    T
    J
    = 100 ˚C
    100
    600
    400
    T
    J
    = 25 ˚C
    200
    T
    J
    = 150 ˚C
    V
    CE
    =5V
    I
    C
    /I
    B
    =20
    0
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    10
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    集电极电流，I
    C
    （MA ）
    集电极电流，I
    C
    （MA ）
    图。 3.典型的V
    BE（上）
    与集电极电流
    1200
    图。 4.典型的V
    CE （ SAT ）
    与集电极电流
    10
    1000
    C
    IB （ EB）的
    800
    T
    J
    = 25 ˚C
    V
    BE （ SAT ）
    （毫伏）
    ,
    T
    J
    = 100 ˚C
    600
    400
    I
    C
    /I
    B
    =20
    T
    J
    = 150 ˚C
    0
    0.01
    电容C （ pF的
    )
    T
    J
    = 25 ˚C
    C
    OB （ CB ）
    200
    1
    0.1
    1
    10
    100
    0.1
    1
    10
    100
    集电极电流，I
    C
    （MA ）
    反向电压（ V）
    图。 5.典型的V
    BE （ SAT ）
    与集电极电流
    图。 6.典型的电容与反向电压
    STAD-JUL.06.2004
    PAGE 。五

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