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    BC846B-13-F 参数 Datasheet PDF下载

    BC846B-13-F图片预览
    型号： BC846B-13-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN表面贴装小信号晶体管SOT23 [NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 6 页 / 141 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号BC846B-13-F的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC846B-13-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC846B-13-F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC846B-13-F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC846B-13-F的Datasheet PDF文件第6页  
    BC846A-BC848C
    电气特性
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    特征
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    （注6 ）
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    BC846
    集电极发射极Cuto FF电流
    BC847
    BC848
    BC846A / BC847A / BC848A
    小信号电流增益
    BC846B / BC847B / BC848B
    （注6 ）
    BC847C / BC848C
    BC846A / BC847A / BC848A
    输入阻抗
    BC846B / BC847B / BC848B
    （注6 ）
    BC847C / BC848C
    BC846A / BC847A / BC848A
    输出导纳
    BC846B / BC847B / BC848B
    （注6 ）
    BC847C / BC848C
    BC846A / BC847A / BC848A
    反向电压传输
    BC846B / BC847B / BC848B
    比（注6 ）
    BC847C / BC848C
    BC846A / BC847A / BC848A
    直流电流增益（注6 ）
    BC846B / BC847B / BC848B
    BC847C / BC848C
    集电极 - 发射极饱和电压
    （注6 ）
    基射极导通电压（注6 ）
    基射极饱和电压（注6 ）
    输出电容
    跃迁频率
    BC846
    BC847
    BC848
    BC846
    BC847
    BC848
    BC846 / BC847
    BC848
    符号
    BV
    CBO
    民
    80
    50
    30
    65
    45
    30
    6
    5
    -
    典型值
    -
    最大
    -
    单位
    V
    测试条件
    I
    C
    = 10µA
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    CES
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    5
    15
    15
    15
    -
    V
    V
    µA
    I
    C
    = 10毫安
    I
    E
    = 1µA
    V
    CB
    = 40V
    V
    CB
    = 30V ，T
    A
    =150°C
    V
    CE
    = 80V
    V
    CE
    = 50V
    V
    CE
    = 30V
    -
    -
    200
    330
    600
    2.7
    4.5
    8.7
    18
    30
    60
    -4
    1.5x10
    -4
    2x10
    -4
    3x10
    180
    290
    520
    90
    200
    660
    -
    700
    900
    3
    300
    nA
    h
    fe
    -
    -
    h
    ie
    -
    -
    kΩ
    I
    C
    = 2.0毫安，V
    CE
    = 5V
    f=1.0kHz
    h
    oe
    -
    -
    µS
    h
    re
    -
    110
    200
    420
    -
    580
    -
    -
    -
    100
    -
    220
    450
    800
    250
    600
    700
    770
    -
    -
    -
    -
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    V
    BE （ SAT ）
    C
    敖包
    f
    T
    -
    mV
    I
    C
    = 2.0毫安，V
    CE
    = 5V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    - 0.5毫安
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 2毫安，V
    CE
    = 5V
    mV
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    = 5V
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    - 0.5毫安
    mV
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    = 5毫安
    pF的V
    CB
    = 10V ， F = 1.0MHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 10毫安，
    兆赫
    F = 100MHz的
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =200µA
    dB
    R
    S
    = 2KΩ中，f = 1KHz的
    ∆f=200Hz
    噪声系数
    NF
    -
    2
    10
    注意：
    6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
    BC846A - BC848C
    文件编号： DS11108牧师23 - 2
    3 6
    www.diodes.com
    2011年8月
    © Diodes公司

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