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    B1100B-13-F 参数 Datasheet PDF下载

    B1100B-13-F图片预览
    型号： B1100B-13-F
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    内容描述： 1.0A高压肖特基整流器 [1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER]
    分类和应用： 整流二极管光电二极管瞄准线高压PC
    文件页数/大小： 4 页 / 94 K
    品牌： DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
     浏览型号B1100B-13-F的Datasheet PDF文件第1页浏览型号B1100B-13-F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号B1100B-13-F的Datasheet PDF文件第4页  
    B170/B - B1100/B
    最大额定值
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
    对于容性负载，减免电流20 ％ 。
    特征
    反向重复峰值电压
    工作峰值反向电压
    阻断电压DC
    RMS反向电压
    平均整流输出电流
    @ T
    T
    = 125°C
    非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
    单半正弦波叠加在额定负荷
    反向重复峰值电流
    符号
    V
    RRM
    V
    RWM
    V
    R
    V
    R（ RMS ）
    I
    O
    I
    FSM
    I
    RRM
    B170/B
    70
    49
    B180/B
    80
    56
    1.0
    30
    1.0
    B190/B
    90
    63
    B1100/B
    100
    70
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    热特性
    特征
    典型热阻结到终端（注4 ）
    工作和存储温度范围
    符号
    R
    θ
    JT
    T
    J,
    T
    英镑
    B170/B
    B180/B
    B190/B
    B1100/B
    25
    -65到+150
    单位
    ° C / W
    °C
    电气特性
    特征
    正向电压降
    泄漏电流（注5 ）
    总电容
    注意事项：
    @T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    F
    I
    R
    C
    T
    民
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    最大
    0.79
    0.69
    0.5
    5.0
    80
    单位
    V
    mA
    pF
    测试条件
    I
    F
    ≤ 1.0A ，T
    A
    = 25°C
    I
    F
    ≤ 1.0A ，T
    A
    = 100°C
    @额定V
    R
    , T
    A
    = 25°C
    @额定V
    R
    , T
    A
    = 100°C
    V
    R
    = 4V ， F = 1MHz的
    4.有效的规定，终端被保持在环境温度下进行。
    5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
    I
    F
    ，正向电流（A）
    10
    1,000
    1.0
    C
    T
    ，总电容（PF ）
    T
    J
    = 25°C
    I
    F
    脉冲宽度= 300μS
    100
    0.1
    0.01
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    F
    ，正向电压（ V）
    图。 1典型正向特性
    10
    0.1
    1
    10
    100
    V
    R
    ，采用直流反接电压（ V）
    图。 2总电容与反向电压
    B170/B - B1100/B
    文件编号： DS30018牧师10 - 2
    2 4
    www.diodes.com
    2010年9月
    © Diodes公司

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