DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
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双N沟道MOSFET
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压， 1.0V最大
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
卤素和无锑
"Green"设备（注3）
ESD保护可达2kV的
机械数据
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案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：参见第5页
订购信息：参见第5页
重量： 0.006克（近似值）
SOT-563
D
2
G
1
S
1
D
2
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
G
2
S
2
D
1
ESD保护可达2kV的
顶视图
DMN5L06VK
DMN5L06VAK
DMN5010VAK
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DM
价值
50
50
±20
±40
280
1.5
单位
V
V
V
mA
A
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压ř
GS
≤
1.0MΩ
栅源电压
漏电流（注1 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
250
500
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMN5/L06VK/L06VAK/010VAK
文件编号： DS30769牧师8 - 2
1 6
2010年1月
© Diodes公司
DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
