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DTU19P10 参数 Datasheet PDF下载

DTU19P10图片预览
型号: DTU19P10
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内容描述: P沟道100伏(D -S ) MOSFET无卤 [P-Channel 100 V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 1859 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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典型特征
25 ℃,除非另有说明
100
- 1.1
www.din-tek.jp
DTU19P10
I
S
- 源电流( A)
- 1.4
10
T
J
= 150 °C
V
GS ( TH)
(V)
I
D
= 250 μA
- 1.7
1
T
J
= 25 °C
- 2.0
0.1
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
- 2.3
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
T
J
- 温度(℃ )
源极 - 漏极二极管正向电压
1600
- 100
阈值电压
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
- 106
I
D
= 250 μA
- 112
1200
Ç - 电容(pF )
C
国际空间站
800
- 118
400
C
OSS
0
0
C
RSS
20
40
60
80
100
- 124
- 130
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
T
J
- 结温( ° C)
电容
2.1
I
D
= 3.6 A
R
DS ( ON)
- 导通电阻
1.7
(归一化)
V
GS
= 4.5 V
1.3
I
D
- 漏电流( A)
V
GS
= 10 V
漏源击穿与结温
10
8
6
4
0.9
2
0.5
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温( ° C)
T
C
- 外壳温度( ° C)
导通电阻与结温
电流降额
4