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    DTM8205_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTM8205_13图片预览
    型号： DTM8205_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道2.5 -V （G -S ） MOSFET无卤 [Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Halogen-free]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1420 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM8205_13的Datasheet PDF文件第8页  
    典型特征
    25 ℃，除非另有说明
    0.05
    0.4
    I
    D
    = 250 µA
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.04
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    0.2
    www.din-tek.jp
    DTM8205
    0.03
    I
    D
    = 6.5 A
    0.0
    0.02
    - 0.2
    0.01
    - 0.4
    0.00
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    - 0.6
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    导通电阻与栅极至源极电压
    200
    100
    阈值电压
    限于由R
    DS （ ON）
    *
    160
    10
    功率（W）的
    120
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    1毫秒
    1
    10毫秒
    100毫秒
    80
    40
    0.1
    T
    C
    = 25 °C
    单脉冲
    1s
    10 s
    DC
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    时间（s）
    1
    10
    0.01
    0.1
    10
    100
    1
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    * V
    GS
    >最小V
    GS
    在r
    DS （ ON）
    为特定网络版
    单脉冲功率
    2
    1
    标准化的有效瞬态
    热阻抗
    占空比= 0.5
    安全工作区，结至外壳
    0.2
    注意事项：
    0.1
    0.1
    0.05
    P
    DM
    t
    1
    t
    2
    1.占空比D =
    t
    1
    t
    2
    0.02
    2.每单位基础= R
    thJA
    =
    115 ° C / W
    3. T
    JM
    - T
    A
    = P
    DM
    Z
    thJA （T ）
    单脉冲
    0.01
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    1
    4.表层嵌
    10
    100
    600
    方波脉冲持续时间（ S）
    归瞬态热阻抗，结到环境
    4

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