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    DTM4483 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4483图片预览
    型号： DTM4483
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道30 V （ DS ） MOSFET ESD保护： 3000 V [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET ESD Protection: 3000 V]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 1735 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTM4483的Datasheet PDF文件第9页  
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    10
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    2.0
    www.din-tek.jp
    DTM4483
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    I
    D
    = 10 A
    1.7
    I
    D
    = 10 A
    V
    GS
    = 10 V
    V
    DS
    = 15 V
    6
    1.4
    4
    1.1
    V
    GS
    = 4.5 V
    2
    0.8
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    栅极电荷
    导通电阻与结温
    100
    0.10
    10
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    T
    J
    = 150
    °C
    1
    T
    J
    = 25
    °C
    0.1
    0.08
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.06
    0.04
    0.01
    0.02
    T
    J
    = 25
    °C
    T
    J
    = 150
    °C
    0.001
    0.0
    0.00
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    1.2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    源漏二极管正向电压
    导通电阻与栅极至源极电压
    1.0
    - 30
    I
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    0.7
    I
    D
    = 250 μA
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    0.4
    I
    D
    = 5毫安
    0.1
    - 32
    - 34
    - 36
    - 0.2
    - 38
    - 0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    - 40
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    阈值电压
    漏源击穿与结温
    4

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