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DTL9503 参数 Datasheet PDF下载

DTL9503图片预览
型号: DTL9503
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内容描述: P沟道30 V ( DS ) MOSFET符合RoHS指令2002/95 / EC [P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 1868 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
250
V
GS
= 10 V通6 V
200
I
D
- 漏电流( A)
5V
150
I
D
- 漏电流( A)
160
200
www.din-tek.jp
DTL9503
T
C
= - 55 °C
25 °C
125 °C
120
100
80
4V
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
40
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
150
T
C
= - 55 °C
0.025
克FS - 跨导(S )
120
25 °C
125 °C
90
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.030
传输特性
0.020
0.015
V
GS
= 4.5 V
0.010
V
GS
= 10 V
0.005
60
30
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
12 000
20
导通电阻与漏电流
10 000
Ç - 电容(pF )
C
国际空间站
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
V
DS
= 15 V
I
D
= 75 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
6
12
18
24
30
4
0
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
电容
栅极电荷
3