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DTE2311 参数 Datasheet PDF下载

DTE2311图片预览
型号: DTE2311
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内容描述: P通道20 -V (D -S ) MOSFET无卤 [P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Halogen-free]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 1379 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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www.din-tek.jp
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃,除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
F
= - 1.35 ,的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= - 6 V ​​,R
L
= 6
Ω
I
D
- 1 ,V
= - 4.5 V ,R
g
= 6
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= - 6 V, V
GS
= - 4.5 V,I
D
= - 4.2 A
10
1.8
3
7.7
45
60
70
35
65
70
90
110
55
ns
Ω
15
nC
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 µA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 8 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 70 °C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
V
GS
=
- 4.5 V,I
D
= - 4.2 A
V
GS
= - 2.5 V,I
D
= - 3.6 A
V
DS
= - 5 V,I
D
= - 4.2 A
I
S
= - 1.35 ,V
GS
= 0 V
- 20
0.032
0.053
14
- 0.77
- 1.1
0.045
0.072
- 0.6
- 1.5
± 100
-1
- 25
V
nA
µA
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
DTE2311
注意事项:
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒,占空比
2 %.
B 。通过设计保证,不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃,除非另有说明
20
V
GS
= 4.5直通3 V
16
16
I
D
- 漏电流( A)
20
I
D
- 漏电流( A)
2.5 V
12
12
8
2V
4
8
T
C
= 125 °C
25 °C
- 55 °C
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
传输特性
2