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DTC2059 参数 Datasheet PDF下载

DTC2059图片预览
型号: DTC2059
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内容描述: P沟道20 V (D -S )的MOSFET [P-Channel 20 V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 295 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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D
www.daysemi.jp
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
20
V
GS
= 5 V直通3 V
16
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
5
V
GS
= 2.5 V
4
12
3
8
V
GS
= 2 V
2
T
C
= 25 °C
1
4
V
GS
= 1.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
C
= 125 °C
0
0
0.5
1.0
T
C
= - 55 °C
1.5
2.0
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
0.08
V
GS
= 2.5 V
1500
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
传输特性
1800
0.06
Ç - 电容(pF )
1200
C
国际空间站
0.04
V
GS
= 3.6 V
900
600
C
OSS
300
C
RSS
0.02
V
GS
= 4.5 V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
3
6
9
12
I
D
- 漏电流( A)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
导通电阻与漏极电流
10
I
D
= 6.5 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
电容
1.6
V
GS
= 4.5 V ; 3.6 V ;我
D
= 4.9 A
1.4
R
DS ( ON)
- 导通电阻
8
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 5 V
V
DS
= 16 V
4
(归一化)
1.2
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 2 A
1.0
2
0.8
0
0
5
10
15
20
25
30
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
导通电阻与结温
3