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1N5400_10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5400_10
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内容描述: 低反向漏 [Low reverse leakage]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 692 K
品牌: DEC [ DIOTEC ELECTRONICS CORPORATION ]
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1N5400 THRU 1N5408
反向电压 - 50到1000伏特
通用硅整流
正向电流 - 3.0安培
特点
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
施工采用无空隙
模压塑料技术
低反向漏
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.220 (5.6)
0.197(5.0)
DIA 。
0.375(9.5)
0.285(7.2)
机械数据
: JEDEC DO- 201AD模压塑体
码头
:镀轴向引线,每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性
:颜色频带端为负极
安装位置
:任何
重量
0.04盎司, 1.10克
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.3)
0.048 (1.2)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
特征
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
A
=75 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在3.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结存储温度范围
符号
1N
1N 1N
1N
1N
1N
1N 1N
1N
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
单位
V
V
V
A
A
V
µA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
JA
T
J
,
T
英镑
50
35
50
100 200 300 400 500
70 140 210 280 350
100 200 300 400 500
3.0
200
1.1
5.0
100
30.0
20.0
-65到+150
600 800 1000
420 560 700
600 800 1000
pF
C / W
C
注: 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375“设计(9.5mm )引线长度,PCB安装