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TIP41C图片预览
型号: TIP41C
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内容描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关PC局域网
文件页数/大小: 1 页 / 196 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
TIP41C
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为通用放大器使用,
开关应用。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.625(15.87)
.570(14.48)
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散(T
C
=25 C)
总功耗
结温
储存温度
o
o
C)
等级
100
100
6
65
2
+150
-55到+150
单位
V
V
A
W
W
o
o
.350(8.90)
.330(8.38)
1 2 3
.640
典型值
(16.25)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
380μs ,占空比
2%
100
100
-
-
-
-
-
30
15
3
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
400
700
1
1.5
2
-
75
-
单位
V
V
µA
µA
mA
V
V
-
-
兆赫
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 30mA时我
B
=0
V
CE
= 100V ,我
B
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 6A ,我
B
=0.6A
I
C
= 6A ,V
CE
=4V
I
C
= 0.3A ,V
CE
=4V
I
C
= 3A ,V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ,V
CE
= 10V , F = 1MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
分类h及
FE2
范围
A
15~50
B
40~75