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TIP122 参数 Datasheet PDF下载

TIP122图片预览
型号: TIP122
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内容描述: 作者: NPN达林顿晶体管技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 196 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
   
直流分量CO 。 , LTD 。
R
TIP122
分立半导体
作者: NPN达林顿晶体管技术规格
描述
专为通用放大器使用
和低速开关应用。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
o
C)
等级
100
100
5
5
2
65
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
W
o
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
.625(15.87)
.570(14.48)
1 2 3
.350(8.90)
.330(8.38)
.640
典型值
(16.25)
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
C
ob
380μs ,占空比
2%
100
100
-
-
-
-
-
-
1K
1K
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
0.2
0.5
2
2
4
2.5
-
-
300
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
-
-
pF
测试条件
I
C
=1mA
I
C
=100mA
V
CB
=100V
V
CE
=50V
V
EB
=5V
I
C
= 3A ,我
B
=12mA
I
C
= 5A ,我
B
=20mA
I
C
= 3A ,V
CE
=3V
I
C
= 500毫安,V
CE
=3V
I
C
= 3A ,V
CE
=3V
V
CB
= 10V , F =为0.1MHz
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度