IRF840
N沟道功率MOSFET
电气特性
特征
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
门源正向漏电流
门源反向漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
二极管的正向电压
反向恢复时间
向前开启时间
热阻
(T
J
= 25
o
C除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
V
SD
t
rr
t
on
民
500
-
-
-
-
2.0
-
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.6
-
1450
190
45.4
15
33
40
32
40
8.0
17
4.5
7.5
1.2
320
-
-
最大
-
0.25
1.0
100
-100
4.0
0.8
-
1680
246
144
50
72
150
60
64
-
-
-
-
2.0
-
1.0
62.5
nH
nH
V
ns
从漏测铅0.25"
从包装到模具中心
从源头上测得的带领0.25"
从包装到源焊盘
I
S
= 8.0A ，V
GS
=0V(Note)
I
F
= 8.0A ，的di / dt = 100A / μs的（注）
nC
V
DS
= 400V ，我
D
= 8.0A ，V
GS
=10V(Note)
ns
V
DD
= 250V ，我
D
=8.0A,
V
GS
= 10V ，R
G
=9.1Ω(Note)
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
nA
V
Ω
S
单位
V
mA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250µA
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
= 0V ，T
J
=125
o
C
V
GSF
=20V, V
DS
=0V
V
GSR
=-20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
=4.0A(Note)
V
DS
= 15V ，我
D
=4.0A(Note)
固有的导通时间是neglegible和由电感L为主
S
+L
D
o
结到外壳
结到环境
300μS ，占空比
R
θJC
R
θJA
2%
C / W
-
注：脉冲测试：脉冲宽度
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
DCCOM [ DC COMPONENTS ]
