欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF740 参数 Datasheet PDF下载

IRF740图片预览
型号: IRF740
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道功率MOSFET技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 2 页 / 209 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
 浏览型号IRF740的Datasheet PDF文件第2页  
直流分量CO 。 , LTD 。
IRF740
R
分立半导体
N沟道功率MOSFET技术规格
V
DSS
= 400伏
R
DS ( ON)
= 0.55欧姆
I
D
= 10安培
特点
*额定重复性雪崩
*快速切换
*易于并联的
*简单的驱动要求
TO-220AB
.185(4.70)
.173(4.40)
.055(1.39)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
.625(15.87)
.570(14.48)
描述
设计成能承受高能量在雪崩模式和
转换效率。还提供了一个漏极 - 源极二极管与快
恢复时间。设计用于高压,高速应用
如电源, PWM马达控制等感性
负载雪崩能量功能被规定为消除
其中,电感性负载切换的猜测在设计和
提供对突发电压瞬变额外的安全裕度。
.151
典型值
(3.83)
.405(10.28)
.380(9.66)
钉扎
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
1
2
3
.350(8.90)
.330(8.38)
0.640典型值
(16.25)
符号
D
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
G
尺寸以英寸(毫米)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
特征
漏电流@ T
C
=25
o
C
栅极 - 源极电压
总功率耗散@ T
C
=25
o
C
减免上述25
o
C
工作结温
储存温度
最大无铅焊接温度的目的,
8"分之1案件从10秒
连续
脉冲
符号
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
T
英镑
T
L
等级
10
40
20
125
1.0
-55到+150
-55到+150
275
单位
A
V
W
W/
o
C
o
o
o
C
C
C