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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: N沟道功率MOSFET技术规格 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 206 K
品牌: DCCOM [ DC COMPONENTS ]
 浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第2页  
直流分量CO 。 , LTD 。
IRF630
R
分立半导体
N沟道功率MOSFET技术规格
V
DSS
= 200伏
R
DS ( ON)
= 0.4欧姆
I
D
= 9.0安培
特点
*额定重复性雪崩
*快速切换
*易于并联的
*简单的驱动要求
TO-220AB
.185(4.70)
.173(4.40)
.055(1.39)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
描述
专为低电压,高速功率开关
应用,如开关稳压器,转换器,
电磁阀和继电器驱动器。
.151
典型值
(3.83)
.405(10.28)
.380(9.66)
钉扎
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
.625(15.87)
.570(14.48)
.350(8.90)
.330(8.38)
1
2
3
0.640典型值
(16.25)
符号
D
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
G
尺寸以英寸(毫米)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
特征
漏电流@ T
C
=25
o
C
栅极 - 源极电压
总功率耗散@ T
C
=25 C
减免上述25
o
C
工作结温
储存温度
最大无铅焊接温度的目的,
8"分之1案件从10秒
o
符号
连续
脉冲
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
T
英镑
T
L
等级
9.0
36
20
74
0.59
-55到+150
-55到+150
300
单位
A
V
W
W/
o
C
o
o
o
C
C
C