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    DCR506-4 参数 Datasheet PDF下载

    DCR506-4图片预览
    型号： DCR506-4
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 影响的敏感性门可控硅整流器电压范围技术参数 - 100至600伏 [TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS VOLTAGE RANGE - 100 to 600 Volts]
    分类和应用： 可控硅整流器
    文件页数/大小： 1 页 / 36 K
    品牌： DCCOM [ DC COMPONENTS ]
       
    直流分量CO 。 ， LTD 。
    R
    分立半导体
    DCR506-3
    THRU
    DCR506-8
    敏感门可控硅整流器技术规范
    电压范围 - 100〜 600伏
    电流 - 6.0安培
    描述
    *带IC和MOS器件直接驱动
    *特点专有的，无空隙的玻璃钝化芯片
    *可提供额定电压为100〜 600伏
    *敏感门极触发电流
    *专为高容量，线路供电控制
    继电器灯驱动器，小型马达控制应用，
    对于大型晶闸管门极驱动器
    TO-220AB
    .185(4.70)
    .173(4.40)
    .055(1.39)
    .045(1.15)
    .295(7.49)
    .220(5.58)
    钉扎
    1 =正极，2 =阳极，3 =门
    .151
    典型值
    (3.83)
    .405(10.28)
    .380(9.66)
    绝对最大额定值
    (T
    A
    =25
    o
    C)
    特征
    重复峰值断态
    电压和反向电压
    DCR506-3
    DCR506-4
    DCR506-6
    DCR506-8
    符号
    V
    DRM
    ,
    V
    RRM
    I
    T（ RMS ）
    I
    TSM
    I
    GM
    P
    GM
    P
    G（ AV ）
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    100
    200
    400
    600
    6.0
    40
    1.0
    0.5
    0.1
    -40到+110
    -40到+150
    单位
    V
    .625(15.87)
    .570(14.48)
    .350(8.90)
    .330(8.38)
    1
    2
    3
    0.640典型值
    (16.25)
    开启状态RMS电流
    (T
    A
    =57
    o
    C, 180
    o
    导通角）
    峰值不重复浪涌电流
    （ 1/2周期，正弦波60赫兹）
    正向栅极峰值电流
    正向峰值门功耗
    正向平均门功耗
    工作结温
    储存温度
    A
    A
    A
    W
    W
    o
    o
    .055(1.40)
    .045(1.14)
    .037(0.95)
    .030(0.75)
    .562(14.27)
    .500(12.70)
    .100
    典型值
    (2.54)
    .024(0.60)
    .014(0.35)
    C
    C
    尺寸以英寸（毫米）
    电气特性
    o
    特征
    峰值重复正向或反向
    断态电流阻断
    正向峰值通态电压
    连续直流门极触发电流
    连续直流门极触发电压
    DC保持电流
    （在25℃环境温度额定值除非另有说明）
    符号
    T
    J
    =25
    o
    C
    T
    J
    =110 C
    o
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8.0
    2.2
    2.2
    最大
    10
    250
    2.0
    200
    1.0
    6.0
    -
    -
    -
    单位
    µA
    V
    µA
    V
    mA
    V / μs的
    微秒
    o
    测试条件
    V
    AK
    =额定V
    DRM
    或V
    RRM
    R
    GK
    =1KΩ
    I
    TM
    = 6A峰值
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    V
    AK
    = 7V DC ，R
    L
    =100Ω
    R
    GK
    =1KΩ
    R
    GK
    =1KΩ
    I
    GT
    =10mA
    -
    I
    DRM
    , I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    V
    GT
    I
    H
    dv / dt的
    T
    gt
    R
    θJC
    爆击率-的高层断态电压
    门受控的接通时间（t
    D
    +t
    R
    )
    热阻，结到外壳
    C / W

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